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VBZE100P03 VBZE10N20 VBZE12N03
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VBZE70N03/VBZE75N03/VBZE7843
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VBZE50P06 |原VBZE50P06综合元器件TO-252AA(DPAK)
VBZE70N03 VBZE75N03 VBZE7843
VBZE15P10全新大芯片 大量供货也可供样品及技术支持
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VBZE30N03 TO252 N沟道 30V 30AMOS管场效应管
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VBZE12P10 TO252 P沟道 -100V -12AMOS管场效应管
VBZE12N06 TO252 N沟道 60V 12AMOS管场效应管
VBZE20N06 TO252 N沟道 60V 20AMOS管场效应管
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VBZE50P03场效应管P沟道30V
VBZE50P06 TO252 P沟道 -60V -55AMOS管场效应管
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VBZE30N02 TO252 N沟道 20V 30AMOS管场效应管
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VBZE60N03 TO252 N沟道 30V 60AMOS管场效应管
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VBZE50P06 场效应管(MOSFET) P沟道 -60000000000nV -50A
VBZE30N06 场效应管(MOSFET) N沟道 60V 22A
VBZE100N02 场效应管(MOSFET) N沟道 20V 120A
VBZE15N10 场效应管(MOSFET) N沟道 100V 16A
VBZE4286 场效应管(MOSFET) N沟道 100V 25A
VBZE50P03 场效应管(MOSFET) P沟道 30V 50A
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VBZE45N03 场效应管(MOSFET) N沟道 30V 58A
VBZE30N02 场效应管(MOSFET) N沟道 20V 65A
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VBZE4204 场效应管(MOSFET) N沟道 40V 130A
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VBZE100N03 场效应管(MOSFET) N沟道 30V 60A
VBZE12N03 场效应管(MOSFET) N沟道 30V 40A
VBZE06N02 场效应管(MOSFET) N沟道 20V 65A
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